Приветствую Вас ГостьВторник, 20.11.2018, 03:40

Мир Софта

«  Декабрь 2013  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031
Программа недели
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Новые программы
Новая литература
Немного поэзии

Она стояла на перроне

Был ожиданья полон взгляд

Глаза смотрели на вагоны,

Твердя:- «Вернись скорей назад»...

Читать полностью
Друзья сайта


Нас знают
Каталог@Mail.ru - каталог ресурсов интернет
Архив записей
Поиск

Главная » 2013 » Декабрь » 23 » Intel планирует использовать в 9-нанометровых микросхемах туннельные полевые транзисторы, работающие при напряжении 0,4 В
07:54
Intel планирует использовать в 9-нанометровых микросхемах туннельные полевые транзисторы, работающие при напряжении 0,4 В
Компания Intel в ходе недавнего мероприятия International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013 рассказала о стратегии освоения технологических норм менее 10 нм. В компании рассчитывают использовать на следующем технологическом шаге, соответствующем длине затвора транзистора 9 нм или менее, туннельные полевые транзисторы, которые могут работать при напряжении питания менее 0,4 В.

В новых транзисторах может использоваться нанопроволочная структура, позволяющая получить увеличенный ток в открытом состоянии. Более того, если удастся использовать эффект туннельного резонанса, длину затвора можно будет сделать меньше 9 нм.

Специалисты Intel промоделировали поведение транзисторов с гетероструктурой из антимонида галлия (GaSb) и арсенида индия (InAs). Были опробованы резонансные туннельные транзисторы с двойным затвором и нанопроволочной структурой. Они имеют ряд преимуществ над традиционными транзисторами Si-MOSFET, что делает их перспективными для использования в качестве транзисторов со сверхнизким напряжением питания.

 

Моделирование показало, что перспективные транзисторы значительно превосходят Si-MOSFET по току в открытом состоянии. При этом нанопроволочная структура предпочтительна с технологической точки зрения по сравнению со структурой с двойным затвором. 

Туннельный полевой транзистор GaSb/InAs с нанопроволочным каналом диаметром 3 нм примерно в 10-20 превосходит по току в открытом состоянии такой же кремниевый транзистор при напряжении питания менее 0,4 В. При этом крутизна его характеристики превосходит теоретически достижимую для Si-MOSFET.

Источник: iXBT

Категория: Новости Железа | Просмотров: 383 | Добавил: alex | Рейтинг: 0.0/0
Категории раздела
Новости Софта [6179]
Новости из мира софта
Новости Железа [7039]
Новости из мира железа
----->> ТОП 10 <<-----
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Обои для презентаций
Драйвера и софт для Веб-камера A4Tech
FlylinkDC++ r400 Build 4582 х86
VKontakte.DJ версия 3.22
MiniTool Partition Wizard Home Edition 6.0
MobiMB Media Browser 3.5.31 RUS
Пакет оформления для Windows 7 х86х64 Rus"Windows 7 New Look Dark"
Тема Mac OS для Windows 7
Windows 7 Firewall Control 4.0.144.38 х32/х64
----->> Новые Статьи <<-----
[15.05.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбуков.(19)
[26.03.2013][ПК и комплектующие]
Как уберечь информацию и электроприбору от перебоя напряжения
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбука.(5)
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Грамотная настройка компьютера без посещения мастерской
[18.12.2012][Программное обеспечение]
Преимущества Google Adwords и Яндекс Директ
[27.11.2012][ПК и комплектующие]
Купить Kinect
[11.09.2012][ПК и комплектующие]
Схемы автоматизации, а также диспетчеризации зданий – новведение в технологической сфере.
[10.09.2012][Программное обеспечение]
Обои и программы для ОС Андроид на планшеты и КПК
[27.08.2012][Программное обеспечение]
Flash игры бесплатно играть - это весело
[20.08.2012][ПК и комплектующие]
Мобильные компьютеры, их типы, техничексие характеристики и особенности
Наш опрос
Оцените наш сайт
Всего ответов: 107
Сейчас на сайте

Главная | Новости | Софт | Литература