Приветствую Вас ГостьВторник, 16.01.2018, 23:19

Мир Софта

«  Декабрь 2017  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Программа недели
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Новые программы
Новая литература
Немного поэзии

Хлопья снега летят, середина зимы

И ботинки скользят, по дорогам судьбы

По дорогам мечты и по улицам слёз

Поведешь меня ты, за собой в мир из грёз...
Читать полностью
Друзья сайта


Нас знают
Каталог@Mail.ru - каталог ресурсов интернет
Архив записей
Поиск

Главная » 2017 » Декабрь » 21 » Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения
06:54
Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Эти микросхемы, предназначенные для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит.

Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV.

Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Категория: Новости Железа | Просмотров: 22 | Добавил: alex | Рейтинг: 0.0/0
Категории раздела
Новости Софта [6216]
Новости из мира софта
Новости Железа [6820]
Новости из мира железа
----->> ТОП 10 <<-----
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Обои для презентаций
Драйвера и софт для Веб-камера A4Tech
FlylinkDC++ r400 Build 4582 х86
MiniTool Partition Wizard Home Edition 6.0
MobiMB Media Browser 3.5.31 RUS
Тема Mac OS для Windows 7
Пакет оформления для Windows 7 х86х64 Rus"Windows 7 New Look Dark"
VKontakte.DJ версия 3.22
Windows 7 Firewall Control 4.0.144.38 х32/х64
----->> Новые Статьи <<-----
[15.05.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбуков.(19)
[26.03.2013][ПК и комплектующие]
Как уберечь информацию и электроприбору от перебоя напряжения
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбука.(5)
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Грамотная настройка компьютера без посещения мастерской
[18.12.2012][Программное обеспечение]
Преимущества Google Adwords и Яндекс Директ
[27.11.2012][ПК и комплектующие]
Купить Kinect
[11.09.2012][ПК и комплектующие]
Схемы автоматизации, а также диспетчеризации зданий – новведение в технологической сфере.
[10.09.2012][Программное обеспечение]
Обои и программы для ОС Андроид на планшеты и КПК
[27.08.2012][Программное обеспечение]
Flash игры бесплатно играть - это весело
[20.08.2012][ПК и комплектующие]
Мобильные компьютеры, их типы, техничексие характеристики и особенности
Наш опрос
Помог ли Вам наш сайт?
Всего ответов: 75
Сейчас на сайте

Главная | Новости | Софт | Литература