Приветствую Вас ГостьСреда, 21.11.2018, 00:36

Мир Софта

«  Декабрь 2017  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Программа недели
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Новые программы
Новая литература
Немного поэзии

От тебя до меня, сотни километров

От тебя до меня, тысячи дорог

От тебя до меня, столько сантиметров

От тебя до меня, ты дойти не смог...

Читать полностью
Друзья сайта


Нас знают
Каталог@Mail.ru - каталог ресурсов интернет
Архив записей
Поиск

Главная » 2017 » Декабрь » 21 » Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения
06:54
Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Эти микросхемы, предназначенные для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит.

Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV.

Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Категория: Новости Железа | Просмотров: 119 | Добавил: alex | Рейтинг: 0.0/0
Категории раздела
Новости Софта [6179]
Новости из мира софта
Новости Железа [7039]
Новости из мира железа
----->> ТОП 10 <<-----
C-Media CMI8738/C3DX Audio Device PCI
Обои для презентаций
Драйвера и софт для Веб-камера A4Tech
FlylinkDC++ r400 Build 4582 х86
VKontakte.DJ версия 3.22
MiniTool Partition Wizard Home Edition 6.0
MobiMB Media Browser 3.5.31 RUS
Пакет оформления для Windows 7 х86х64 Rus"Windows 7 New Look Dark"
Тема Mac OS для Windows 7
Windows 7 Firewall Control 4.0.144.38 х32/х64
----->> Новые Статьи <<-----
[15.05.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбуков.(19)
[26.03.2013][ПК и комплектующие]
Как уберечь информацию и электроприбору от перебоя напряжения
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Особенности ремонта ноутбука.(5)
[28.02.2013][ПК и комплектующие]
Грамотная настройка компьютера без посещения мастерской
[18.12.2012][Программное обеспечение]
Преимущества Google Adwords и Яндекс Директ
[27.11.2012][ПК и комплектующие]
Купить Kinect
[11.09.2012][ПК и комплектующие]
Схемы автоматизации, а также диспетчеризации зданий – новведение в технологической сфере.
[10.09.2012][Программное обеспечение]
Обои и программы для ОС Андроид на планшеты и КПК
[27.08.2012][Программное обеспечение]
Flash игры бесплатно играть - это весело
[20.08.2012][ПК и комплектующие]
Мобильные компьютеры, их типы, техничексие характеристики и особенности
Наш опрос
Откуда Вы предпочитаете загружать файлы?
Всего ответов: 156
Сейчас на сайте

Главная | Новости | Софт | Литература